7月6日消息，美国麻省理工学院(MIT)的研究人员们透过在两层铁电材料间夹进高迁移率的石墨烯薄膜，从而实现可直接在光信号上操作的太赫兹(terahertz; THz)级频率芯片。

    根据麻省理工学院，这种新材料堆栈可望带来比当今密度更高10倍的内存，并打造出能直接在光信号上操作的电子组件。

    “我们的研究成果可望为光信号的传输与处理开启令人振奋的崭新领域，”MIT博士后研究员Dafei Jin表示。这项研究是由Dafei Jin以及MIT教授Nicholas Fang、Jun Xu、博士生Anshuman Kumar Srivastava与前博士后研究员Kin-Hung Fung(目前在香港理工大学)共同合作。

    研究人员们的灵感来自于铁电闸极内存与晶体管，他们在夹层中加入石墨烯材料以提高性能。在特征化混合组件时，他们发现石墨烯中形成2D等离子体结构并与铁电材料中的声子极化耦合。最后产生的组件能够在THz级频率下作业，且具有极低功耗。

    研究人员们进而仿制这些高密度材料，实现高达THz级频率且低串扰的等离子体波导。因此，研究人员预测，透过利用这种铁电内存效应，新材料堆栈可望在极低功耗时实现可控制的等离子体波导。

    这种新材料堆栈还可提供一种光电信号转换的新方式，为这些类型的组件实现更高10倍的密度。

   该计划资金由美国国家科学基金会(NSF)和空军科学研究局赞助。