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GaN-on-Si陷胶着 GaN-on-GaN LED趁势崛起
发布人:kjhz 发布时间:2013-5-15 来源:中国光电网

 

氮化镓对氮化镓基板(GaN-on-GaN)发光二极管(LED)声势看涨。GaN-on-GaN LED毋须克服让硅基氮化镓(GaN-on-Si)LED研发人员头痛的晶格、热膨胀系数等问题,加上GaN基板技术迭有突破,价格下滑可期,因而逐渐成为备受瞩目的LED基板替代方案。 
 
台积固态照明总经理谭昌琳表示,目前LED照明市场的基板市占仍以蓝宝石(Sapphire)基板及碳化硅(SiC)基板为主,而近年GaN-on-Si基板技术亦快速崛起,不过,目前GaN-on-Si基板除良率外,还有几项挑战待解。 
 
谭昌琳进一步解释,GaN-on-Si基板刚开始受到关注的原因,即硅材于半导体制程技术已相当成熟,但实际上GaN-on-Si基板在成长过程当中产生的弯曲情形,并无法适用于现有的晶圆平整设备,因此,生产GaN-on-Si基板的设备投资几乎等同于投资一座新的8吋厂,遂让相关业者再三踌躇。
 
不仅如此,因硅基板本身具吸光特性,所以厂商为提高LED芯片发光效率,多半都会在磊晶生成以后将硅基板去掉,并须在封装步骤时加上反射层,增强LED芯片整体亮度表现,因此,整体的物料成本是否能显著下降仍充满许多问号。 
 
有鉴于此,业界已将注意力转移至其它更具成本效益的替代方案,其中,GaN-on-GaN基板吸引力十足。目前美国新创公司Soraa是该基板技术主要的发展厂商,其已于今年2月正式宣布技术突破。 
 
与GaN-on-Si基板相比,GaN-on-GaN基板不具热膨胀系数不匹配(CTE Mismatch)及晶格不匹配(Lattice Mismatch)的问题,且因晶格缺陷密度极低,可让LED芯片以极高的电流密度运作,并发射较蓝宝石、碳化硅、硅等传统基板方案十倍以上的单位面积亮度。 
 
尽管如此,目前GaN-on-GaN基板价格仍偏高,约为蓝宝石基板的十至十五倍,因此,其应用仍以利基市场为主,如需高亮度的车用照明市场。 
 
谭昌琳指出,日前Soitec已针对GaN基板发表Smart Cut技术,并将该技术授权、技术转移予Sumitomo Electric,可望加速GaN基板价格下滑。 
 
据了解,Soitec与Sumitomo Electric两家公司先前已利用该技术成功试产4吋及6吋GaN基板,该制程技术让高质量、极细的GaN层不断重复由单一晶圆转变为多重基板。结果显示,在Smart Cut技术的助力下,GaN基板能展现高度效能并维持低成本,因此,Sumitomo Electric未来将持续投资Smart Cut技术,并利用该技术制造GaN基板。 
 
谭昌琳认为,未来蓝宝石、碳化硅、GaN、硅等基板的材料、技术将不断整合,而发光效率(lm/w)、光效下降(Droop)改善情形及制造成本,将是决定基板势力版图的重要因素。